Tetragermabuta-1,3-dien ist durch Umsetzung einer Arylgrignardverbindung mit GeCl2 in einer Eintopfsynthese in akzeptablen Ausbeuten zugänglich, so dass erstmals die Chemie dieses Diens untersucht werden konnte. Verglichen mit der Chemie des Tetrasilabuta-1,3-diens zeigten sich Gemeinsamkeiten und Unterschiede im Reaktionsverhalten. So führten die Reaktionen beider Diene mit Schwefel und Selen zu Fünfringen mit einer endocyclischen Doppelbindung. Die Umsetzung mit Tellur machte höhere Reaktionstemperaturen erforderlich. Dies führte zu einem vollständigen Abbau des Tetragermabuta-1,3-diens, vermutlich eingeleitet durch die Abspaltung eines Germylens, und Bildung verschiedener Heterocyclen. Unterstützt wird diese Annahme durch die Umsetzung des Tetragermabuta-1,3-diens mit einem Isonitril, wobei sich nach Freisetzung eines Germylens ein Ge3C-Vierring mit einer Ge/Ge-Doppelbindung bildete. Die Unterschiede im Reaktionsverhalten dieser Diene des Siliciums und Germaniums sind vermutlich auf die geringeren Bindungsdissoziationsenergien der Ge/Ge-Bindungen im Vergleich zu entsprechenden Si/Si- Bindungen zurückzuführen. <dt.>
Tetragermabuta-1,3-diene is easily accessible in moderate yield by a one-pot synthesis starting from an aryl Grignard compound and GeCl2. Thus, for the first time, investigations of the chemistry of this diene are possible. Compared to the chemistry of tetrasilabuta-1,3-diene similarities as well as dissimilarities were observed. The reactions of both dienes with sulfur and selenium led to five-membered ring systems containing an endocyclic double bond. The reaction of tetragermabuta-1,3-diene with tellurium afforded higher temperatures. The result was a degradation of tetragermabuta-1,3-diene, possibly initiated by cleavage of a germylene, to furnish several heterocyclic compounds. This assumption is supported by the reaction of tetragermabuta-1,3-diene with an isocyanide from which a Ge3C-ring with a Ge/Ge double bond was formed by cleavage of a germylene molecule. The dissimilarities in the chemistry of the dienes of silicon and germanium are probably due to the lower bond dissoziation energy of the Ge/Ge bonds compared to the analogous Si/Si bonds. <engl.>
