Auch als elektronisches Dokument vorh ; Oldenburg, Univ., Diss., 2007
Hochschulschrift
Diese Dissertation behandelt die Charakterisierung von mikrokristallinem Silizium (æc-Si:H) durch numerisch simulierte und experimentell bestimmte thermisch stimulierte Ströme (TSC). TSC Messungen und Simulationen erlauben die detaillierte Demonstration von zwei verschiedenen Retrapping-Regimen (stark und schwach). Eine Kombination von Experiment und Simulation ermöglicht die Bestimmung des Zustandsdichte-Profils und der Trap-Parameter. Für Proben von æc -Si:H liegt der Parameter des Leitungsbandausläufers im Bereich zwischen 20 meV und 24 meV. Tiefer in der Bandlücke wird eine breite Defektverteilung bestimmt. Der Einfangkoeffizient liegt zwischen 1 10-9 cm3 s-1 und 3 10-9 cm3 s-1. <dt.>
This thesis focuses on the characterization of microcrystalline silicon ( c-Si:H) samples by numerically simulated and experimental thermally stimulated currents (TSC). TSC measurements and simulations demonstrate in detail two different retrapping regimes (strong and weak). A combined experiment - simulation approach allows to extract the density-of-states profile and to deduce trap parameters. For æc-Si:H samples, the conduction band tail parameters vary between 20 meV and 24 meV. Deeper in the gap, a broad defect distribution is obtained. The capture coefficient varies between 1 10-9 cm3 s-1 and 3 10-9 cm3 s-1. <engl.>
