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Hariharan, Ashwin
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nach Person:
Hariharan, Ashwin (1)
Heise, Stephan John (1)
Schäfer, Sascha (1)
1
49GBVUOB_ALMA51337139980003501
49GBVUOB_ALMA51337139980003501
//diglib.bis.uni-oldenburg.de/webservice/sru/?recordSchema=dc&query=49GBVUOB_ALMA51337139980003501
Artikel
Decay of excess carriers in a two-defect model semiconductor : a time-resolved photoluminescence study
von
Ashwin Hariharan ; Sascha Schäfer ; Stephan John Heise
2021
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Beteiligte Personen (Uni Oldenburg):
Schäfer, Sascha ([2017-])
Heise, Stephan John ([2008-])
Hariharan, Ashwin ([2018-2022])
Enthalten in:
Journal of applied physics Melville, NY : American Inst. of Physics, 1931 130(2021), 23, Artikel-ID 235702, Seite 1-10 Online-Ressource
Sprache:
Englisch
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