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• 141
  49GBVUOB_ALMA2123642316000350149GBVUOB_ALMA21236423160003501//diglib.bis.uni-oldenburg.de/webservice/sru/?recordSchema=dc&query=49GBVUOB_ALMA21236423160003501
  Artikel
  Apparent quantum efficiencies greater than unity from lateral photocurrents

  von Rudolf Brüggemann ; Maximilian Rösch ; J. Meyer

  1999

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  Beteiligte Personen (Uni Oldenburg): Rösch, MaximilianBrüggemann, Rudolf

  Enthalten in: Solar energy materials and solar cells 57 (1999), S. 303

  Sprache: Englisch
• 142
  49GBVUOB_ALMA2123655256000350149GBVUOB_ALMA21236552560003501//diglib.bis.uni-oldenburg.de/webservice/sru/?recordSchema=dc&query=49GBVUOB_ALMA21236552560003501
  Artikel
  Elektronische Eigenschaften von nanokristallinem Silizium aus Hot-Wire Deposition : [Tagungsbeitrag]

  von Rudolf Brüggemann ; Jean-Paul Kleider ; C. Longeaud

  1999

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  Beteiligte Personen (Uni Oldenburg): Brüggemann, Rudolf

  Enthalten in: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6. Reihe. 34,5 (1999), HL5.12

  Sprache: Deutsch
• 143
  49GBVUOB_ALMA2123702805000350149GBVUOB_ALMA21237028050003501//diglib.bis.uni-oldenburg.de/webservice/sru/?recordSchema=dc&query=49GBVUOB_ALMA21237028050003501
  Artikel
  Electronic properties of hot-wire deposited nanocrystalline silicon

  von Rudolf Brüggemann ; A. Hierzenberger ; H. N. Wanka ; M. B. Schubert

  1999

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  Beteiligte Personen (Uni Oldenburg): Brüggemann, Rudolf

  Enthalten in: Amorphous and microcrystalline silicon technology - 1998 Warrendale, Pa., 1999 S. 921 - 926

  Sprache: Englisch

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• 144
  49GBVUOB_ALMA2123700605000350149GBVUOB_ALMA21237006050003501//diglib.bis.uni-oldenburg.de/webservice/sru/?recordSchema=dc&query=49GBVUOB_ALMA21237006050003501
  Artikel
  Paramagnetic defects in undoped microcrystalline silicon deposited by the hot-wire technique

  von Peter Kanschat ; K. Lips ; Rudolf Brüggemann ; A. Hierzenberger ; I. Sieber ; W. Fuhs

  1999

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  Beteiligte Personen (Uni Oldenburg): Brüggemann, Rudolf

  Enthalten in: Amorphous and microcrystalline silicon technology - 1998 Warrendale, Pa., 1999 S. 793 - 798

  Sprache: Englisch

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• 145
  49GBVUOB_ALMA2123702891000350149GBVUOB_ALMA21237028910003501//diglib.bis.uni-oldenburg.de/webservice/sru/?recordSchema=dc&query=49GBVUOB_ALMA21237028910003501
  Artikel
  Effect of filament bias on the properties of amorphous and nanocrystalline silicon from hot-wire chemical vapor deposition

  von H. N. Wanka ; Rudolf Brüggemann ; C. Köhler ; I. Zrinšcak ; M. B. Schubert

  1999

  Details anzeigen

  Beteiligte Personen (Uni Oldenburg): Brüggemann, Rudolf

  Enthalten in: Amorphous and microcrystalline silicon technology - 1998 Warrendale, Pa., 1999 S. 915 - 920

  Sprache: Englisch

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• 146
  49GBVUOB_ALMA2123657624000350149GBVUOB_ALMA21236576240003501//diglib.bis.uni-oldenburg.de/webservice/sru/?recordSchema=dc&query=49GBVUOB_ALMA21236576240003501
  Artikel
  Electronic properties of hot-wire CVD and PECVD deposited nanocrystalline silicon

  von Rudolf Brüggemann ; W. Bronner ; A. Hierzenberger ; M. B. Schubert ; I. Zrinscak

  1999

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  Beteiligte Personen (Uni Oldenburg): Brüggemann, Rudolf

  Enthalten in: Thin film materials and devices - developments in science and technology Singapore [u.a.], 1999 S. 1 - 12

  Sprache: Englisch

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• 147
  49GBVUOB_ALMA2123642813000350149GBVUOB_ALMA21236428130003501//diglib.bis.uni-oldenburg.de/webservice/sru/?recordSchema=dc&query=49GBVUOB_ALMA21236428130003501
  Artikel
  Urbach energy dependence of the stability in amorphous silicon thin-films transistors

  von R. B. Wehrspon ; S. C. Deane ; I. D. French ; I. G. Gale ; M. J. Powell ; Rudolf Brüggemann

  1999

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  Beteiligte Personen (Uni Oldenburg): Brüggemann, Rudolf

  Enthalten in: Applied physics letters 74 (1999), S. 3374

  Sprache: Englisch
• 148
  49GBVUOB_ALMA2123622285000350149GBVUOB_ALMA21236222850003501//diglib.bis.uni-oldenburg.de/webservice/sru/?recordSchema=dc&query=49GBVUOB_ALMA21236222850003501
  Artikel
  Photoinduced space charge effects in a-SI:H solar cells

  von Thomas Unold ; Tomas Binnewies ; Rudolf Brüggemann ; Gottfried H. Bauer

  1999

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  Beteiligte Personen (Uni Oldenburg): Brüggemann, RudolfBauer, Gottfried H.Unold, Thomas ([-2003])

  Enthalten in: Amorphous and heterogeneous silicon thin films Warrendale, Pa., 1999 S. 875 - 880

  Sprache: Englisch

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• 149
  49GBVUOB_ALMA2123644448000350149GBVUOB_ALMA21236444480003501//diglib.bis.uni-oldenburg.de/webservice/sru/?recordSchema=dc&query=49GBVUOB_ALMA21236444480003501
  Artikel
  Polymorphous silicon : transport properties and solar cell applications

  von C. Longeaud ; Jean-Paul Kleider ; M. Gauthier ; Rudolf Brüggemann ; Y. Poissant ; Pere Roca i Cabarrocas

  1999

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  Beteiligte Personen (Uni Oldenburg): Brüggemann, Rudolf

  Enthalten in: Materials Research Society symposium proceedings 557 (1999), S. 501 - 506

  Sprache: Englisch

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• 150
  49GBVUOB_ALMA2123642499000350149GBVUOB_ALMA21236424990003501//diglib.bis.uni-oldenburg.de/webservice/sru/?recordSchema=dc&query=49GBVUOB_ALMA21236424990003501
  Artikel
  Investigtion of collection efficiencies much larger than unity in a-Si: H p-i-n structures

  von Charles Main ; J. H. Zollondz ; Steve Reynolds ; W. Gao ; Rudolf Brüggemann ; M. J. Rose

  1999

  Details anzeigen

  Beteiligte Personen (Uni Oldenburg): Brüggemann, Rudolf

  Enthalten in: Journal of applied physics 85 (1999), S. 296

  Sprache: Englisch