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49GBVUOB_ALMA21236910930003501
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Artikel
Ladungstransport in dünnen Schichten aus Silizium-Nanokristallen : [Poster]
von
Felix Voigt ; Rudolf Brüggemann ; Thomas Unold ; Jean-Paul Kleider ; G. Ledoux ; Friedrich Huisken ; Gottfried H. Bauer
2002
Details anzeigen
Beteiligte Personen (Uni Oldenburg):
Brüggemann, Rudolf
Unold, Thomas ([-2003])
Bauer, Gottfried H.
Voigt, Felix
Enthalten in:
66. Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, 11. - 15. März 2002, Regensburg 2002 S. 153
Sprache:
Deutsch
122
49GBVUOB_ALMA21236197880003501
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//diglib.bis.uni-oldenburg.de/webservice/sru/?recordSchema=dc&query=49GBVUOB_ALMA21236197880003501
Artikel
Electronic properties of microcrystalline SiGe-thin films by Hall-experiments and photo- and dark-transport
von
Gottfried H. Bauer ; Felix Voigt ; R. Carius ; M. Krause ; Rudolf Brüggemann ; Thomas Unold
2002
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Beteiligte Personen (Uni Oldenburg):
Voigt, Felix
Brüggemann, Rudolf
Unold, Thomas ([-2003])
Bauer, Gottfried H.
Enthalten in:
Journal of non-crystalline solids 299/302 (2002), S. [153] - 157
Sprache:
Englisch
>> Volltext
123
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Artikel
Room temperature photoluminescence studies of a-Si:H/c-Si-heterodiodes in open circuit, short ciurcuit and maximum power point operation
von
Gottfried H. Bauer ; Rudolf Brüggemann ; I. A. S. Al-Mohtad ; Saioa Tardon ; Thomas Unold
2002
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Beteiligte Personen (Uni Oldenburg):
Brüggemann, Rudolf
Tardon, Saioa
Unold, Thomas ([-2003])
Bauer, Gottfried H.
Enthalten in:
Conference record of the Photovoltaics Specialists 23 (2002), S. 1278 - 1281
Sprache:
Englisch
>> Volltext
124
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Artikel
Elektronenbestrahlung von mikrokristallinem Silizium : [Tagungsbeitrag]
von
Rudolf Brüggemann ; W. Bronner ; M. Mehring
2001
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Beteiligte Personen (Uni Oldenburg):
Brüggemann, Rudolf
Enthalten in:
Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6. Reihe. 36,1 (2001), HL24.84
Sprache:
Deutsch
125
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Artikel
Influence of electron irradiation on the electronic properties of microcrystalline silicon
von
Rudolf Brüggemann ; W. Bronner ; M. Mehring
2001
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Beteiligte Personen (Uni Oldenburg):
Brüggemann, Rudolf
Enthalten in:
Solid state communications 119 (2001), S. [23] - 27
Sprache:
Englisch
126
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Artikel
Änderung der optoelektronischen und der Transporteigenschaften von mikrokristallinem Silizium durch Elektronenbestrahlung : [Tagungsbeitrag]
von
W. Bronner ; Rudolf Brüggemann ; M. Mehring
2001
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Beteiligte Personen (Uni Oldenburg):
Brüggemann, Rudolf
Enthalten in:
Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6. Reihe. 36,1 (2001), HL24.84
Sprache:
Deutsch
127
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Artikel
Electronic and topographic properties of amorphous and microcrystalline silicon thin films
von
Jean-Paul Kleider ; C. Longeaud ; Rudolf Brüggemann ; F. Houzé
2001
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Beteiligte Personen (Uni Oldenburg):
Brüggemann, Rudolf
Enthalten in:
Thin solid films 383 (2001), S. [57] - 60
Sprache:
Englisch
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128
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Artikel
Investigation of quantum efficiencies much larger than unity in a-Si:H p-i-n structures
von
J.-H. Zollonds ; Charles Main ; W. Gao ; Steve Reynolds ; Rudolf Brüggemann ; M. J. Rose
2001
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Beteiligte Personen (Uni Oldenburg):
Brüggemann, Rudolf
Enthalten in:
Thin film materials and devices - developments in science and technology Bath, 2001 S. 212, [5 Bl.] <5>
Sprache:
Englisch
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129
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49GBVUOB_ALMA21236448530003501
//diglib.bis.uni-oldenburg.de/webservice/sru/?recordSchema=dc&query=49GBVUOB_ALMA21236448530003501
Artikel
Microcrystalline silicon films deposited by hot-wire CVD for solar cells on low-temperature substrate
von
C. Nikura ; R. Brenot ; J. Guillet ; J. E. Bourée ; Jean-Paul Kleider ; Rudolf Brüggemann ; R. C. Longeaud
2001
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Beteiligte Personen (Uni Oldenburg):
Brüggemann, Rudolf
Enthalten in:
Solar energy materials and solar cells 66 (2001), S. 421
Sprache:
Englisch
130
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Artikel
Analyse des Ladungstransports in [my]c-SiGe mit Hall- und Photoleitung : [Tagungsbeitrag]
von
Felix Voigt ; Thomas Unold ; Rudolf Brüggemann ; R. Carius ; Gottfried H. Bauer
2001
Details anzeigen
Beteiligte Personen (Uni Oldenburg):
Unold, Thomas ([-2003])
Brüggemann, Rudolf
Bauer, Gottfried H.
Voigt, Felix
Enthalten in:
Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft 6. Reihe. 36,1 (2001), HL24.82
Sprache:
Deutsch
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